碳化硅无压烧结炉

碳化硅的无压烧结可以分成固相烧结与液相烧结二种。固相烧结是美国科学家Prochazka于1974年首先发明。他在亚微米级的β-SiC中添加少量的B与C,实现SiC无压烧结,制得接近理论密度95%的致密烧结体。以后的许多研究表明B与B的化合物和Al与Al的化合物均可以与SiC形成固溶体而促进烧结。碳的加入是与SiC表面的SiO2反应增加表面能均对烧结有利。固相烧结的SiC,晶界较为“干净”,基本无液相存在,晶粒在高温下很易长大。因此断裂时是穿晶断裂,它们强度与断裂韧性一般都不高,在300~450MPa与3.5~4.5MPa·m1/2。但它晶界较为“干净”,高温强度并不随温度的升高而变化,一般能用到1600℃,强度不发生变化。在固相烧结中SiC-AlN系统很值得注意,由于它具有良好的电阻与导热性,有可能是一种廉价的大规模集成电路的基板材料。

碳化硅的液相烧结是美国科学家Mulla.M.A于九十年代初解决的。它的主要烧结添加剂是Y2O3-Al2O3。根据其相图可知,存在三个低共熔化合物,YAG(Y3Al5O15,熔点1760℃),YAP(YAlO3,熔点为1850℃),YAM(Y4Al2O9,熔点为1940℃)。为了降低烧结温度一般采用YAG为SiC的烧结添加剂。当YAG的组成达到质量分数为6%时,碳化硅材料已基本达到致密化。烧结过程会发生Al2O3的主要组份的质量流失,使添加剂的组份达不到YAG的组成。因此应适当将Al2O3的组份增加,将YAG的组份变成YAG·Al2O3,此时材料的相对密度从98%提高到99%,几乎完全致密。材料的强度从600MPa提高到707MPa。断裂韧性从8.1MPa·m1/2提高到10.7MPa·m1/2。此结果非常引人注目。它的出现更开拓了无压烧结SiC的新应用面,尤其是性能要求较高的工况。

碳化硅无压烧结炉

真空烧结炉

真空烧结炉

真空烧结炉技术参数

Model型号

Uniform Temperature Zone
均温区尺寸

MAX. Temperature
最大温度

Ultimate pressure
极限压力

Temperature
Uniformity
温度均匀性

Loading Capacity
装载量

RVS-335-S

300*300*500mm(W*H*L)

2400℃

6.7*10-1Pa

±5℃

70kg

RVS-446-S

400*400*600mm(W*H*L)

2400℃

6.7*10-1Pa

±5℃

100kg

RVS-557-S

500*500*700mm(W*H*L)

2400℃

6.7*10-1Pa

±5℃

200kg

RVS-669-S

600*600*900mm(W*H*L)

2400℃

6.7*10-1Pa

±5℃

300kg

RVS-7710-S

700*700*1000mm(W*H*L)

2400℃

6.7*10-1Pa

±5℃

500kg

RVS-8812-S

800*800*1200mm(W*H*L)

2400℃

6.7*10-1Pa

±5℃

700kg

RVS-9915-S

900*900*1500mm(W*H*L)

2400℃

6.7*10-1Pa

±5℃

1000kg

RVS-V0507-S

Ø 500*700mm(Vertical)

2400℃

6.7*10-1Pa

±5℃

300kg

Remark: The working zone of equipment could be customized base on customer’s production.
备注:提供定制服务,设备工作区可以根据客户产量定制。